型号 | SI7530DP-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC |
SI7530DP-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI7530DP-T1-E3 |
产品目录绘图 | 8-SOIC Mosfet Package |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A,3.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 4.6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
功率 - 最大 | 1.4W,1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI7530DP-T1-E3CT |